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FSB660详细

TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3

FSB660参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):350mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V,功率 - 最大值:500mW,频率 - 跃迁:75MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,供应商器件封装:3-SSOT
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